传中芯国际正在用DUV打造5纳米技术,良品率大约仅30-40%成本高昂

传中芯国际正在用DUV打造5纳米技术,良品率大约仅30-40%成本高昂

目前中芯国际最进步的制程为7纳米,但一份新的报告指出,中芯国际正在推进其5纳米技术。 然而,与台积电等使用先进的超紫外光(EUV)装置的制造商相比,中芯国际被迫在其现有的DUV装置上批次生产这些晶圆,这对该公司来说很可能是一项成本高昂的冒险。

中芯国际据传从中国政府获得价值数十亿美元的补贴,从而成功推进其5纳米技术; 不过目前尚不清楚是否预计产量。

传中芯国际正在用DUV打造5纳米技术,良品率大约仅30-40%成本高昂

华为预计将在明年推出P70、P70 Pro和P70 Art,因此这家前中国巨头需要在先进芯片方面保持市场竞争力。 尽管麒麟9000S是一款7nm SoC,但由于美国对华为和中芯国际的制裁,它仍被认为是一项突破性成就。

据 The Elec 报道,一位不愿透露姓名的行业人士表示,深紫外技术 (DUV) 的零件供应目前跟不上中国的需求,预计这一特殊市场将进一步扩大。 此外,他还提到中芯国际正在准备通过DUV实现5纳米技术,这会使得光照的使用量有望进一步增加。

中国半导体产业发展引发的半导体光罩短缺正蔓延到空白光罩领域。 空白光罩是光罩的原材料。 业内人士认为,这种现象可能会延伸到光罩的保护成分–胶粒。

据业内人士6日透露,国内用于曝光工艺的部件制造商正在经历繁荣。 空白光罩公司S&STech今年第三季度的累计销售额达到1009亿韩元。 与去年同期相比增长了20.4%。 该公司用于曝光的部件销售额也有所增长。 今年第三季度,FST的光罩累计销售额为700亿韩元,比去年同期增长5.3%。

空白光罩是光罩的原材料,最近一直供不应求。 它的制作方法是在高纯度石英上沉积金属遮蔽膜和防反射膜,然后涂上感光溶液。 光罩是通过在其上雕刻半导体电路图案制成的。

胶层是光罩的保护部分。 通过涂敷胶层,可以缩短光罩的更换周期,从而降低加工成本,提高生产率。

造成日益短缺的原因很复杂。 除了中国无晶圆厂公司的数量不断增加(截至去年已达3243家)之外,中国光罩公司缺乏技术以及采用DUV的7纳米工艺也是原因之一。

一位业内人士说:中国光罩厂生产的产品,品质低于 TOPPAN 和 DNP,因此我们需要使用更多的空白光罩和光阻剂。 在采用DUV的7nm生产中,与EUV相比需要大量的光罩,由于中芯国际正在准备采用DUV的5nm技术,预计光罩的使用量会进一步增加。 ”

业内人士分析,在可预见的未来,这种情况可能会持续下去。 这是因为关键技术掌握在日本、美国和韩国的公司手中。 光阻剂也是如此。 Pellicle 由日本公司信越(Shin-Etsu)、旭(Asahi)和三井(Mitsui)以及韩国公司 FST 生产。 上个月,FST宣布投资330亿韩元,扩大其生产能力。

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