NAND 内存堆叠的层数将影响容量，也是NAND产业技术力的象征; SK海力士在 2023 年的闪存高峰会（ FMS）展示最新的技术进展，将 NAND 层数堆叠突破 300 层以上，实现 321 层 4D NAND ; 不过SK Hynix的321层4D NAND仍为技术展示阶段，预计在2025年上半年才会正式量产。
海力士SK的321层技术建立在现在的238层NAND开发的成果，同时相较238层512Gb颗粒，321层1Tb TLC NAND受惠堆叠层数增加使单一晶圆产能提升，产能提高59%; SK海力士也预计将 321 层 4D NAND 应用在下一代 PCIe Gen 6 与 UFS 5.0 储存产品。