7月27日消息，美光公司日前宣布将成为首家推出24Gb DDR5内存芯片的企业。据悉，该公司计划在2024年开始量产32Gb DDR5芯片，并推出更大容量的内存模块。 去年，美光成功研发出24Gb内存芯片，采用了1α(1-alpha)工艺技术。而在接下来的32Gb DDR5芯片制造中，美光将应用其最先进的1β(1-beta)工艺节点，以提高生产效率和质量。目前，美光尚未透露32Gb芯片的数据传输速率，但预计将在数据中心级内存模块中得到应用。 32Gb DDR5 DRAM IC主要面向数据中心级内存模块，为1TB DDR5模块(采用32个8-Hi 32Gb堆叠)提供支持。不过，美光公司并未急于将32Gb芯片直接应用于最大容量的模块上，而是计划在明年推出基于该芯片的128GB DDR5内存模块。未来，他们还计划推出更大容量的192GB和256GB DDR5模块，以满足不同用户需求。 除了DDR5内存，美光还在其路线图中提及了GDDR7显存芯片的计划。预计在2024年中期，GDDR7显存芯片将实现批量生产，拥有32 GT/s的高数据传输速率，颗粒容量可选16Gb和24Gb，将为图形处理等领域的性能提升提供支持。 此外，美光还向客户提供了HBM3 Gen 2内存样品。这种内存拥有高达1.2 TB/s的聚合带宽，同时8个高堆叠容量达到24GB，将在高性能计算和图形处理等领域发挥重要作用。