据韩国媒体指出，JEDEC正着手松弛对HBM 4存储设备规定的约束，以期让制造商有更多空间推销混合键合型HBM闪存产品。

科技的持续突破使得DRAM 3D堆栈产品HBM内存的z轴封装高度达到惊人的新纪录——12层，总厚度限制在720微米之内。引人注目的是，HBM4预计将升级到多达16层，凸块占用的宽度要求将更加严格。

韩国两大巨头 SK海力士与三星电子均已开展HBM芯片堆叠技术研究，其中，SK海力士主张使用MR-RUF工艺，而三星电子则倾向于采取TC NCF策略。虽同为HBM芯片互连技术，但近期，三星电子发布的新款产品HBM3E 12H将凸点间的距离压缩至7微米，这被其归功于材料的改良。

根据HBM4规定限厚为720微米，超过此限度，传统DRAM工艺已无法构建高达16层的堆叠结构。虽然混合键合技术展现出潜力提升界面接触强度和减少空间需求，然而其高昂成本及仍处研究试验阶段，使绝大部分存储产业果断放弃了这种策略。

有建议提出，提高HBM4的775微米高度容限可赢得宝贵的时间，从而为存储厂商提供推动实现HBM兼容设计市场化的有力支援。

根据JEDEC高级专家确认，HBM4的最高密度确认为775微米。此规定使各制造商得以依照现有计划稳步前行，实施HBM4的关键混合键合技术，从而在市场中推动HMB4内存的创新和应用。

据研究剖析显示，适当调低HBM4的存储密度可留出更多时间来深化混合键合技术的研究与运用，从而减少DRAM堆叠层数，实现设备性能大幅度提高。

该策略将深刻影响储存行业。HBM4所具备的高度灵活性，能够助力制造商进行科技研发与产品创新，从而推动产业繁荣及技术升级，发挥了积极的影响力。开放HBM4的内存限制，使得厂商得以专注于研发混合键合HBM工艺，进而有效地缩小DRAM模组尺寸并显著提升其性能水平。这无疑对行业的持续进步具有重要推动力。

诚挚邀请所有读者在本文评论区域发表看法及深度思考关于HBM4内存阈值放宽的议题。如有启发，期待你能积极推荐这篇文章，共同探讨这个行业重要转折。